Inkjet printable and low annealing temperature gate-dielectric based on polymethylsilsesquioxane for flexible n-channel OFETs

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1016/j.orgel.2015.12.023
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Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Technologies de l'information et des communications
FormatTexte, Article
SujetAnnealing; Dielectric materials; Electric fields; Gate dielectrics; Glass; Heterojunction bipolar transistors; High electron mobility transistors; Leakage currents; Organic field effect transistors; Reconfigurable hardware; Silver; Spin glass; Transistors; Flexible electronic devices; High breakdown voltage; High electric fields; N-channel transistors; Polymethylsilsesquioxane; Reproducibilities; Spin on glass; Field effect transistors
Résumé
Date de publication
Dans
Langueanglais
Publications évaluées par des pairsOui
Numéro NPARC21277481
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Identificateur de l’enregistrementd7f07854-a362-4e1e-92d0-2310972cec54
Enregistrement créé2016-03-09
Enregistrement modifié2020-03-16
Date de modification :