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Gouvernement du Canada / Government of Canada

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Measuring strain fields surrounding grain-boundary dislocations in silicon using scanning transmission electron microscopy

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1017/S1431927614006965
AuteurRechercher : 1
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Énergie, les mines et l'environnement
FormatTexte, Article
ConférenceMicroscopy and Microanalysis 2014, M and M 2014, 3 August 2014 through 7 August 2014
Date de publication
Dans
  • Microscopy and Microanalysis 20, nº 3 (24 août 2014) : 1048–1049.
Langueanglais
Publications évaluées par des pairsOui
Numéro NPARC21275528
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Identificateur de l’enregistrementa51f9b4d-8d4e-4c55-b45e-63033d87121d
Enregistrement créé2015-07-14
Enregistrement modifié2020-04-22
Date de modification :