Comparison of Ion Implantation Aroaches in the Fabrication of AlGaN/GaN HFETs: Classical vs Through the Gate Metal

Par Conseil national de recherches du Canada

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Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut Steacie des sciences moléculaires du CNRC
FormatTexte, Article
ConférenceIPAP Conference Series 1, 2000, Tokyo
Numéro NPARC5212406
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Identificateur de l’enregistrement8c5fb574-c501-447c-8880-fa21421e2fd8
Enregistrement créé2008-12-02
Enregistrement modifié2024-03-01
Date de modification :