Optical properties of GaInAsSb/InAs epilayers grown by liquid phase epitaxy

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1117/12.190759
AuteurRechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher :
CommanditaireRechercher : SPIE
FormatTexte, Article
ConférenceSecond International Conference on Thin Film Physics and Applications, April 15-17, 1994, Shanghai, China
ISSN0277-786X
ISBN0819417084
Langueanglais
Numéro du CNRCNRC-INMS-1093
Numéro NPARC5765062
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Identificateur de l’enregistrement730cfc20-4e33-4b58-b1f1-d093413dc670
Enregistrement créé2009-03-29
Enregistrement modifié2020-04-16
Date de modification :