Radiation hardness of AlGaAs n-i-p solar cells with higher bandgap intrinsic region

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1016/j.solmat.2017.04.034
AuteurRechercher : 1; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher :
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Technologies de l'information et des communications
FormatTexte, Article
SujetAlGaAs; n-i-p solar cell; radiation hardness; end-of-life; diffusion length; device modeling
Résumé
Date de publication
Maison d’éditionElsevier
Dans
Langueanglais
Publications évaluées par des pairsOui
Numéro NPARC23002159
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Identificateur de l’enregistrement3f2effdc-28d3-496f-afde-40ce9fac9de8
Enregistrement créé2017-08-28
Enregistrement modifié2020-03-16
Date de modification :