Photoluminescence of boron-doped Si[1-x]Ge[x] epilayers grown by UHV-CVD

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1016/S0921-5107(01)00820-0
AuteurRechercher : ; Rechercher : ; Rechercher :
FormatTexte, Article
Date de publication
Dans
Langueanglais
Numéro du CNRCNRC-INMS-372
Numéro NPARC5764055
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Identificateur de l’enregistrement334b6a4f-51d2-46fe-b218-2d5044b019e4
Enregistrement créé2009-03-29
Enregistrement modifié2020-03-30
Date de modification :