Influence of crystalline Defects on Transport Properties of GaN Grown by Ammonia-Molecular Beam Epitaxy and Magnetron Sputter Epitaxy

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1007/s11664-000-0061-0
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Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
  2. Conseil national de recherches du Canada. Institut Steacie des sciences moléculaires du CNRC
FormatTexte, Article
Date de publication
Dans
Numéro NPARC12339016
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Identificateur de l’enregistrementfeb9ff23-2696-4a30-b5f8-bc2059e4aabc
Enregistrement créé2009-09-11
Enregistrement modifié2020-03-26
Date de modification :