The optimalisation of the GaN and GaN/AlGaN hetero-junctions on bulk crystals using plasma-assisted molecular beam epitaxy

Par Conseil national de recherches du Canada

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Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
FormatTexte, Article
ConférenceE-MRS 2003 Fall Meeting, Symposium C, 37865, Warsaw, Poland
Numéro NPARC12346664
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Identificateur de l’enregistrementfda51e81-0f34-42e9-9ab4-5915ab1ec6d9
Enregistrement créé2009-09-17
Enregistrement modifié2020-04-16
Date de modification :