Photoluminescence and electroluminescence at ~ 1.5 µm from MBE grown Si[1-x]Ge[x] alloys doped with erbium

Par Conseil national de recherches du Canada

AuteurRechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher :
CommanditaireRechercher : MRS
FormatTexte, Article
ConférenceElectronic, optical and device properties of layered structures : proceedings of symposium B, 1990 Fall Meeting of the Materials Research Society, November 26-December 1, 1990, Boston, Massachusetts, USA
Langueanglais
Numéro du CNRCNRC-INMS-1109
Numéro NPARC8900764
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Identificateur de l’enregistrementf8e469c0-571b-433d-ba5a-50048190b367
Enregistrement créé2009-04-22
Enregistrement modifié2020-04-16
Date de modification :