Elastic strain determination in semiconductor epitaxial layers by HREM

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1016/0968-4328(95)00020-8
AuteurRechercher : 1; Rechercher : ; Rechercher : 2; Rechercher : ; Rechercher :
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut d'innovation en piles à combustible du CNRC
  2. Conseil national de recherches du Canada. Institut Steacie des sciences moléculaires du CNRC
FormatTexte, Article
Conférence22nd annual meeting of the Microscopical Society of Canada
Sujetcumulative sum; Fourier filtering; high resolution electron microscopy; image simulations; lattice fringes; semiconductor bilayer; semiconductor superlattice; strain analysis; surface relaxation; surface roughnes
Résumé
Date de publication
Dans
Numéro NPARC12339239
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Identificateur de l’enregistrementf85cf2ab-8132-4c8f-8afd-8d6879c2cd31
Enregistrement créé2009-09-11
Enregistrement modifié2020-04-29
Date de modification :