DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1063/1.117106 |
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Auteur | Rechercher : Labrie, D.1; Rechercher : Lafontaine, H.1; Rechercher : Rowell, N.1; Rechercher : Charbonneau, S.1; Rechercher : Houghton, D.1; Rechercher : Goldberg, R.D.; Rechercher : Mitchell, I.V. |
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Affiliation | - Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
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Format | Texte, Article |
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Sujet | Heterostructures; Silicon; Germanium Silicides; Ion Implantation; Quantum Wells; Photoluminescence; Blue Shift; Strains; Ge and Si; ow-dimensional; mesoscopic; nanoscale and other related systems: structure and nonelectronic properties; Elemental semiconductors |
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Résumé | A demonstration of quantum well intermixing using ion implantation in Si1-xGex/Si strained‐layer heterostructures is presented. The quantum‐well related photoluminescence lines of implanted and annealed samples are blue shifted by up to 40 meV relative to those measured in annealed‐only samples. Optical and structural qualities of the heterostructure remain high after implantation and annealing treatments. |
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Date de publication | 1996 |
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Dans | |
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Langue | anglais |
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Publications évaluées par des pairs | Oui |
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Numéro NPARC | 12328451 |
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Identificateur de l’enregistrement | f798477c-9b2d-4e09-a342-ba40314e6b4b |
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Enregistrement créé | 2009-09-10 |
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Enregistrement modifié | 2020-03-20 |
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