Quantum-well intermixing in Si1-xGex/Si strained-layer heterostructures using ion implantation

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1063/1.117106
AuteurRechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : ; Rechercher :
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
FormatTexte, Article
SujetHeterostructures; Silicon; Germanium Silicides; Ion Implantation; Quantum Wells; Photoluminescence; Blue Shift; Strains; Ge and Si; ow-dimensional; mesoscopic; nanoscale and other related systems: structure and nonelectronic properties; Elemental semiconductors
Résumé
Date de publication
Dans
Langueanglais
Publications évaluées par des pairsOui
Numéro NPARC12328451
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Identificateur de l’enregistrementf798477c-9b2d-4e09-a342-ba40314e6b4b
Enregistrement créé2009-09-10
Enregistrement modifié2020-03-20
Date de modification :