Self-organized InAs quantum dot tube lasers and integrated optoelectronics on Si

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1117/12.876172
AuteurRechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : 1
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
FormatTexte, Article
ConférenceSilicon Photonics VI, January 23-26, 2011, San Francisco, CA, USA
SujetCoherent emission; Continuous wave lasing; Embedded quantum dots; Epitaxially grown; Foreign substrates; InAs quantum dots; InGaAsP; Micro-tubes; Microcavity laser; Microtube; Optical microcavities; Optical resonance; Quantum Dot; Room temperature; Self-organized; Silicon on insulator waveguide; Spectral properties; Standard photolithography; Strained bilayer films; Whispering gallery modes; Indium arsenide; Integration; Microcavities; Optical properties; Photolithography; Photonic devices; Quantum optics; Resonance; Resonators; Semiconducting silicon; Semiconducting silicon compounds; Semiconductor quantum dots; Quantum dot lasers
Résumé
Date de publication
Maison d’éditionSPIE
Dans
Série
Langueanglais
Publications évaluées par des pairsOui
Numéro NPARC21271282
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Identificateur de l’enregistrementf50cf6e8-4367-47e3-bc85-227d5511be8e
Enregistrement créé2014-03-24
Enregistrement modifié2020-04-21
Date de modification :