Energy relaxation by hot 2D electrons in AlGaN/GaN heterostructures: the influence of strong impurity and defect scattering

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1088/0268-1242/21/12/013
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Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
  2. Conseil national de recherches du Canada. Institut Steacie des sciences moléculaires du CNRC
FormatTexte, Article
Date de publication
Dans
Numéro NPARC12744475
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Identificateur de l’enregistrementf362286f-cf0a-4a74-bdbd-fb7203aa0c9b
Enregistrement créé2009-10-27
Enregistrement modifié2020-04-22
Date de modification :