| DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.78.2441 |
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| Auteur | Rechercher : Houghton, D. C.; Rechercher : Aers, G. C.1; Rechercher : Rowell, N. L.2; Rechercher : Brunner, K.; Rechercher : Winter, W.; Rechercher : Eberl, K. |
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| Affiliation | - Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
- Conseil national de recherches du Canada. Institut des étalons nationaux de mesure du CNRC
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| Format | Texte, Article |
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| Résumé | We use a novel wafer bending technique to study band alignment under applied uniaxial stress in Si₁₋yCy/Si and Si₁₋xGex/Si₁₋yCy/Si heterostructures. We confirm a type I alignment for Si₁₋yCy/Si and report the first observation of an elastic strain induced type I to type II transition in Si₁₋yCy/Si quantum wells. Results for a Si₀.₈₄Ge₀.₁₆/Si₀.₉₉C₀.₀₁/Si structure support a type II transition between the SiGe valence band and the SiC conduction band. These results also indicate a conduction band offset of at most 65% of the band gap difference for Si₁₋yCy/Si with y = 0.5% or 1%. |
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| Date de publication | 1997-03-24 |
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| Dans | |
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| Langue | anglais |
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| Publications évaluées par des pairs | Oui |
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| Numéro du CNRC | NRC-INMS-1178 |
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| Numéro NPARC | 12339207 |
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| Identificateur de l’enregistrement | f0c12f51-1037-47f4-b3a6-f4bf32b493c0 |
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| Enregistrement créé | 2009-09-11 |
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| Enregistrement modifié | 2023-05-16 |
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