Modified Stranski-Krastanov growth in Ge/Si heterostructures via nanostenciled pulsed laser deposition

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1088/0957-4484/23/6/065603
AuteurRechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher :
FormatTexte, Article
SujetDifferent substrates; Elemental compositions; Growth behaviour; Growth morphology; Kinetic control; Laser repetition rate; Morphological evolution; Nanostenciling; Repetition rate; Si(1 0 0); Si/Ge; Stranski-Krastanov growth; Stranski-Krastanov growth mode; Wetting layer; Atomic force microscopy; Atomic spectroscopy; Germanium; Programmable logic controllers; Pulse repetition rate; Pulsed laser deposition; Raman spectroscopy; Scanning electron microscopy; Pulsed lasers
Résumé
Date de publication
Dans
Langueanglais
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Numéro NPARC21270273
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Identificateur de l’enregistrementec1bdbf3-5edd-414f-a207-fd86cc7bacac
Enregistrement créé2014-01-20
Enregistrement modifié2020-04-21
Date de modification :