Modified Stranski-Krastanov growth in Ge/Si heterostructures via nanostenciled pulsed laser deposition
Modified Stranski-Krastanov growth in Ge/Si heterostructures via nanostenciled pulsed laser deposition
DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1088/0957-4484/23/6/065603 |
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Format | Texte, Article |
Sujet | Different substrates; Elemental compositions; Growth behaviour; Growth morphology; Kinetic control; Laser repetition rate; Morphological evolution; Nanostenciling; Repetition rate; Si(1 0 0); Si/Ge; Stranski-Krastanov growth; Stranski-Krastanov growth mode; Wetting layer; Atomic force microscopy; Atomic spectroscopy; Germanium; Programmable logic controllers; Pulse repetition rate; Pulsed laser deposition; Raman spectroscopy; Scanning electron microscopy; Pulsed lasers |
Résumé | |
Date de publication | 2012-01-17 |
Dans | |
Langue | anglais |
Publications évaluées par des pairs | Oui |
Publication du CNRC | Cette publication n’est pas du CNRCCe sont des publications qui ont été rédigées par un auteur du CNRC, mais avant que celui-ci soit employé du CNRC. |
Numéro NPARC | 21270273 |
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Identificateur de l’enregistrement | ec1bdbf3-5edd-414f-a207-fd86cc7bacac |
Enregistrement créé | 2014-01-20 |
Enregistrement modifié | 2020-04-21 |
- Date de modification :