Native defects in gallium arsenide grown by molecular beam epitaxy and metallorganic chemical vapour deposition: effects of irradiation

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1016/0921-5107(95)01333-4
AuteurRechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher :
FormatTexte, Article
Date de publication
Dans
Langueanglais
Numéro du CNRCNRC-INMS-1172
Numéro NPARC8898843
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Identificateur de l’enregistremente91572f7-10f0-4968-943b-7c779f3b5981
Enregistrement créé2009-04-22
Enregistrement modifié2020-04-29
Date de modification :