DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1103/PhysRevB.86.085409 |
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Auteur | Rechercher : Bernard, S.; Rechercher : Whiteway, E.; Rechercher : Yu, V.; Rechercher : Austing, D.G.1; Rechercher : Hilke, M. |
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Affiliation | - Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
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Format | Texte, Article |
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Résumé | Using very uniform large-scale chemical vapor deposition grown graphene transferred onto silicon, we were able to identify 15 distinct Raman lines associated with graphene monolayers. This was possible thanks to a combination of different carbon isotopes and different Raman laser energies and extensive averaging without increasing the laser power. This allowed us to obtain a detailed experimental phonon dispersion relation for many points in the Brillouin zone. We further identified a D+D′ peak corresponding to a double-phonon process involving both an inter- and intravalley phonon. © 2012 American Physical Society. |
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Date de publication | 2012 |
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Dans | |
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Langue | anglais |
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Publications évaluées par des pairs | Oui |
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Numéro NPARC | 21269561 |
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Identificateur de l’enregistrement | e90b058a-77d4-4808-9c30-d4b7a67bf11b |
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Enregistrement créé | 2013-12-12 |
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Enregistrement modifié | 2020-04-21 |
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