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Visible luminescence from semiconductor quantum dots in large ensembles

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1063/1.115175
AuteurRechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher :
FormatTexte, Article
Sujetepitaxy; photoluminescence spectroscopy; transmission electron microscopy
Résumé
Visible luminescence has been obtained from ensembles of defect‐free, InxAl(1−x)As islands of ultrasmall dimensions embedded in AlyGa(1−y)As cladding layers. These structures were grown by molecular beam epitaxy and studied with low‐temperature photoluminescence (PL) and transmission electron microscopy. Visible luminescence is produced using various compositions of InxAl(1−x)As/AlyGa(1−y)As. Quantum dot size distributions, planar densities, dot heights, and wetting layer thicknesses are presented and correlated with the PL spectra.
Date de publication
Maison d’éditionAIP
Dans
  • Applied Physics Letters 67, nº 4 : 521–523.
Langueanglais
Publications évaluées par des pairsOui
Publication du CNRC
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Numéro NPARC12328149
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Identificateur de l’enregistremente8cdbe64-b98d-407d-b6f9-1f90ac9badb6
Enregistrement créé2009-09-10
Enregistrement modifié2020-04-29
Date de modification :