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Chemical beam epitaxy grown 1.5µm lasers using compressively strained InGaAsP quantum wells

Par Conseil national de recherches du Canada

AuteurRechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 1
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
FormatTexte, Article
ConférenceSeventh Canadian Semiconductor Technology Conference, August 1995, Ottawa, Canada
Date de publication
Dans
  • Canadian Journal of Physics 74, nº suppl. (1996).
Numéro NPARC12328421
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Identificateur de l’enregistremente532fa70-4177-4e4f-b7d3-95c1b0ff0ec8
Enregistrement créé2009-09-10
Enregistrement modifié2020-03-20
Date de modification :