Rapid thermal processing of buried Si[1-x]Ge[x]/Si strained layers: photoluminescence decay and misfit dislocation generation
Rapid thermal processing of buried Si[1-x]Ge[x]/Si strained layers: photoluminescence decay and misfit dislocation generation
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|---|---|
| Commanditaire | Rechercher : MRS |
| Format | Texte, Article |
| Conférence | Epitaxial heterostructures : symposium, April 16-19, 1990, San Francisco, California, USA |
| ISSN | 0272-9172 |
| ISBN | 1558990879 |
| Langue | anglais |
| Numéro du CNRC | NRC-INMS-1194 |
| Numéro NPARC | 8898469 |
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| Identificateur de l’enregistrement | e3e88a1d-786e-4380-9436-03f9b6786b07 |
| Enregistrement créé | 2009-04-22 |
| Enregistrement modifié | 2020-04-16 |
- Date de modification :