Understanding charge dynamics in silicon dangling bond structures for nanoscale devices

Par Conseil national de recherches du Canada

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Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Technologies de sécurité et de rupture
FormatTexte, Article
ConférenceNanotech Conference and Expo 2012, June 18-21, 2012, Santa Clara, CA, USA
SujetArtificial molecule; Atomic scale; Building blockes; Charge dynamics; Charge qubits; Computing architecture; Device architectures; Electron dynamics; External control; Ionic state; Nanoscale device; Polarization properties; Quantum-dot cellular automata; Si(001) surfaces; Silicon dangling bonds; Silicon surfaces; Dynamics; Electronic structure; Fluidics; Molecules; Nanowires; Scanning tunneling microscopy; Sequential machines; Nanotechnology
Résumé
Date de publication
Dans
Langueanglais
Publications évaluées par des pairsOui
Numéro NPARC21270288
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Identificateur de l’enregistremente06a1785-d537-45cf-8018-bb881700683b
Enregistrement créé2014-01-20
Enregistrement modifié2020-04-21
Date de modification :