Studies of oxide desorption from GaAs substrates via Ga2O3 to Ga2O conversion by exposure to Ga flux

Par Conseil national de recherches du Canada

Téléchargement
  1. (PDF, 750 Kio)
DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1116/1.1752913
AuteurRechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 1
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
FormatTexte, Article
Sujetoxide surfaces; III-V semiconductors; desorption; thermal desorption; gallium
Résumé
Date de publication
Dans
Langueanglais
Numéro NPARC12743917
Exporter la noticeExporter en format RIS
Signaler une correctionSignaler une correction (s'ouvre dans un nouvel onglet)
Identificateur de l’enregistrementdacd26f2-a907-4ddb-89d4-235598eee1c9
Enregistrement créé2009-10-27
Enregistrement modifié2020-04-17
Date de modification :