Photoreflectance of InSb/GaAs heterostructures at E₁ and E₁ +Δ₁ transitions

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1049/el:19940822
AuteurRechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher :
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
FormatTexte, Article
Sujetcrystal quality; film thickness; InSb/GaAs heterostructures; lattice-mismatched heterostructures; layer thickness; lineshape broadening; photoreflectance spectra; structural quality
Résumé
Date de publication
Dans
Langueanglais
Numéro NPARC12327109
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Identificateur de l’enregistrementda86c665-2091-4e74-9910-d4f4205bd9ec
Enregistrement créé2009-09-10
Enregistrement modifié2020-04-27
Date de modification :