DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1049/el:19940822 |
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Auteur | Rechercher : Beaulieu, Y.1; Rechercher : Webb, J. B.1; Rechercher : Brebner, J. L. |
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Affiliation | - Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
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Format | Texte, Article |
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Sujet | crystal quality; film thickness; InSb/GaAs heterostructures; lattice-mismatched heterostructures; layer thickness; lineshape broadening; photoreflectance spectra; structural quality |
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Résumé | The photoreflectance spectra of InSb/GaAs heterostructures at the E₁ and E₁ +Δ₁ transitions have been measured as a function of layer thickness. The spectra show an increase in lineshape broadening, similar to that observed in the increase in FWHM of the X-ray diffraction peaks, as the film thickness decreases. The data indicate increased crystal quality with increasing layer thickness. The results show that photoreflectance can be used as a tool to study the structural quality of lattice-mismatched heterostructures. |
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Date de publication | 1994-07-21 |
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Dans | |
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Langue | anglais |
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Numéro NPARC | 12327109 |
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Identificateur de l’enregistrement | da86c665-2091-4e74-9910-d4f4205bd9ec |
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Enregistrement créé | 2009-09-10 |
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Enregistrement modifié | 2020-04-27 |
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