| DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1557/PROC-832-F5.1 |
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| Auteur | Rechercher : Baribeau, J.-M.1; Rechercher : Rowell, N. L.2; Rechercher : Lockwood, D. J.1 |
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| Affiliation | - Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
- Conseil national de recherches du Canada. Institut des étalons nationaux de mesure du CNRC
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| Format | Texte, Article |
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| Conférence | 2004 MRS Fall Meeting - Symposium F – Group IV Semiconductor Nanostructures, November 29-December 2, 2004, Boston, Massachusetts, USA |
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| Résumé | We review progress in the growth of Si1-xGex islands and Ge dots on (001) Si. We discuss the evolution of the island morphology with Si1-xGex coverage, and the effect of growth parameters or post-growth annealing on the shape of the islands and dots. We outline some of the structural, and optical properties of Si1-xGex islands and review recent progress in the determination of their composition and strain distribution. We discuss various approaches currently being investigated to engineer Si1-xGex quantum dots and in particular control their size, density and spatial distribution. For example, we show how C pre-deposition on Si (001) can influence nucleation and growth of Ge islands. |
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| Date de publication | 2005 |
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| Dans | |
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| Série | |
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| Langue | anglais |
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| Publications évaluées par des pairs | Oui |
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| Numéro du CNRC | NRC-INMS-1386 |
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| Numéro NPARC | 12346434 |
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| Identificateur de l’enregistrement | d68264d1-295c-4dfa-aa85-b6b160e30613 |
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| Enregistrement créé | 2009-09-17 |
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| Enregistrement modifié | 2020-04-07 |
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