Redox driven conductance changes for resistive memory

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1007/s00339-011-6268-5
AuteurRechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : ; Rechercher : 1
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut national de nanotechnologie
FormatTexte, Article
SujetHydroxide ions; Oxidation state; Polaron formation; Poly-thiophene; Polymer oxidation; Resistance switching; Resistive switching memories; TiO; Conducting polymers; Conductive films; Heterojunctions; Organic conductors; Polarons; Polymer films; Raman spectroscopy; Silicon compounds; Thiophene; Titanium dioxide; Redox reactions
Résumé
Date de publication
Dans
Langueanglais
Publications évaluées par des pairsOui
Numéro NPARC21272018
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Identificateur de l’enregistrementd1db0377-caff-44af-8f58-174cf52b4ebd
Enregistrement créé2014-05-21
Enregistrement modifié2020-04-21
Date de modification :