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Efficiency limiting processes in 1.55 μm InAs/InP-based quantum dots lasers

Par Conseil national de recherches du Canada

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  1. (PDF, 791 Kio)
DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1063/1.3504253
AuteurRechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : 1; Rechercher : 1
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
FormatTexte, Article
Résumé
The threshold current density, Jth, and its radiative component, Jrad, in 1.55 um InAs/InP (100) quantum dot lasers are measured as a function of temperature and hydrostatic pressure. We find that Jrad is relatively temperature insensitive. However, Jth increases significantly with temperature leading to a characteristic temperature T0=72 K over the range 220–290 K. Nonradiative recombination accounts for up to 94% of Jth at T=293 K. Jth decreases with increasing pressure by 35% over 8 kbar causing an increase in T0 from 72 to 88 K. The results indicate that nonradiative Auger recombination determines temperature behavior of these devices and T0 value.
Date de publication
Dans
  • Applied Physics Letters 97, nº 16 (18 octobre 2010) : 161104-1–161104-3.
Langueanglais
Publications évaluées par des pairsOui
Numéro NPARC17401049
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Identificateur de l’enregistrementd016e629-f80e-4c2b-9e27-2ca6365dac7e
Enregistrement créé2011-03-26
Enregistrement modifié2020-04-17
Date de modification :