Comparing High Mobility InGaAs FETs with Si and GOI Devices

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1109/DRC.2006.305130
AuteurRechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : 1
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
FormatTexte, Article
Date de publication
Dans
Numéro NPARC12743824
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Identificateur de l’enregistrementcb98588e-1e63-4b6e-b4b6-fe479561e8e3
Enregistrement créé2009-10-27
Enregistrement modifié2020-04-22
Date de modification :