| DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1139/p96-827 |
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| Auteur | Rechercher : He, J.-J.1; Rechercher : Koteles, Emil S.1; Rechercher : Davis, M.1; Rechercher : Poole, P. J.1; Rechercher : Dion, M.1; Rechercher : Feng, Y.1; Rechercher : Charbonneau, S.2; Rechercher : Piva, P.3; Rechercher : Buchanan, M.1; Rechercher : Goldberg, R.; Rechercher : Mitchell, I. |
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| Affiliation | - Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
- Conseil national de recherches du Canada
- Conseil national de recherches du Canada. Institut des étalons nationaux de mesure du CNRC
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| Format | Texte, Article |
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| Conférence | Seventh Canadian Semiconductor Technology Conference, Ottawa, Ontario, Canada, August 14-18, 1995 |
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| Résumé | Nous avons étudié le déplacement de l'intervalle de bande (gap) dans des guides d'onde à puits quantiques de, InGaAsP/InP. Une implantation d'ions phosphore suivie d'un recuit rapide a permis d'obtenir un déplacement vers le bleu de 90 nm. Nous démontrons que la constante d'absorption au bord de la bande d'absorption originale est passée de 110 à 4 cm−1. Le mécanisme de l'interdiffusion de puits quantiques n'a généré aucun excès de perte. Les bonnes propriétés électriques de la jonction pin sont maintenues. |
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| Date de publication | 1996-12 |
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| Maison d’édition | National Research Council of Canada. NRC Research Press |
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| Dans | |
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| Langue | anglais |
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| Numéro NPARC | 12328853 |
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| Exporter la notice | Exporter en format RIS |
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| Identificateur de l’enregistrement | cab223ec-59cd-48fd-beb8-19e2704cc21e |
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| Enregistrement créé | 2009-09-10 |
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| Enregistrement modifié | 2024-02-06 |
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