DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1103/PhysRevB.52.1485 |
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Auteur | Rechercher : Benzaquen, R.; Rechercher : Leonelli, R.; Rechercher : Roth, A. P.1 |
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Affiliation | - Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
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Format | Texte, Article |
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Résumé | Temperature-dependent photoluminescence measurements have been performed to study the linewidth of the ground and first excited states of the neutral shallow-donor bound-exciton transition in a high-purity n-type InP epilayer. For temperatures below 20 K, a theoretical model developed by Chou and Neumark to take into account the electron-hole correlation and the usual electron-phonon coupling is found to be in acceptable agreement with the linewidth data which follows a linear dependence upon temperature. |
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Date de publication | 1995-07-15 |
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Dans | |
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Langue | anglais |
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Numéro NPARC | 12327699 |
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Identificateur de l’enregistrement | c6d05fa5-7ca2-47cc-af03-5b5c741dfe10 |
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Enregistrement créé | 2009-09-10 |
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Enregistrement modifié | 2020-04-29 |
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