Development of GaN wafers via the ammonothermal method

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2014.06.004
AuteurRechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher :
FormatTexte, Article
Conférence8th International Workshop on Bulk Nitrides Semiconductors (IWBNS VIII), Sept. 30-Oct. 5, 2013, Seeon, Germany
SujetAmmonothermal method; A2. Growth from solutions; A2. Single crystal growth; B1. Nitrides; B1. Semiconducting gallium compounds
Résumé
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Langueanglais
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Numéro du CNRCNRC-ACRD-56100
Numéro NPARC21273793
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Identificateur de l’enregistrementc41b9c68-a412-41e3-b2f5-af18a9c4946e
Enregistrement créé2015-01-21
Enregistrement modifié2020-04-22
Date de modification :