Development of GaN wafers via the ammonothermal method
Development of GaN wafers via the ammonothermal method
DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2014.06.004 |
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Format | Texte, Article |
Conférence | 8th International Workshop on Bulk Nitrides Semiconductors (IWBNS VIII), Sept. 30-Oct. 5, 2013, Seeon, Germany |
Sujet | Ammonothermal method; A2. Growth from solutions; A2. Single crystal growth; B1. Nitrides; B1. Semiconducting gallium compounds |
Résumé | |
Date de publication | 2014-06-09 |
Dans | |
Langue | anglais |
Publications évaluées par des pairs | Oui |
Publication du CNRC | Cette publication n’est pas du CNRCCe sont des publications qui ont été rédigées par un auteur du CNRC, mais avant que celui-ci soit employé du CNRC. |
Numéro du CNRC | NRC-ACRD-56100 |
Numéro NPARC | 21273793 |
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Identificateur de l’enregistrement | c41b9c68-a412-41e3-b2f5-af18a9c4946e |
Enregistrement créé | 2015-01-21 |
Enregistrement modifié | 2020-04-22 |
- Date de modification :