Physical and electrical characterization of ZrO2 gate insulators deposited on Si(100) using ZrOi-Pr)2(thd)2 and O2

Par Conseil national de recherches du Canada

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DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1149/1.1471891
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Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
FormatTexte, Article
Résumé
Date de publication
Dans
Langueanglais
Numéro NPARC12744602
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Identificateur de l’enregistrementc0577d88-50f2-45f6-afe2-b6916c2eb52a
Enregistrement créé2009-10-27
Enregistrement modifié2020-03-30
Date de modification :