InGaN laser diodes operating at 450-460 nm grown by rf-plasma MBE

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1116/1.3665223
AuteurRechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : 1; Rechercher : ; Rechercher :
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
FormatTexte, Article
SujetBlue laser diodes; GaN substrate; Growth technologies; High-nitrogen; InGaN laser diodes; InGaN quantum wells; Light loss; Plasma assisted molecular beam epitaxy; RF plasma; Single quantum well; Threading dislocation densities; Vacuum applications; Gallium nitride
Résumé
Date de publication
Dans
Langueanglais
Publications évaluées par des pairsOui
Numéro NPARC21269316
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Identificateur de l’enregistrementb7cbc727-caae-4321-ad01-288b02cccbdc
Enregistrement créé2013-12-12
Enregistrement modifié2020-04-21
Date de modification :