Effect of power on interface and electrical properties of SiO₂ films produced by plasma-enhanced chemical-vapor deposition

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1063/1.358913
AuteurRechercher : 1; Rechercher : ; Rechercher : 1; Rechercher : 1
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
FormatTexte, Article
SujetANNEALING; CV CHARACTERISTIC; CVD; DEPTH PROFILES; ELECTRIC CONDUCTIVITY; ELECTRICAL PROPERTIES; INTERFACE STATES; MOS JUNCTIONS; PLASMA; SILICON OXIDES; THIN FILMS
Résumé
Date de publication
Dans
Langueanglais
Publications évaluées par des pairsOui
Numéro NPARC12328266
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Identificateur de l’enregistrementb68e5e70-f293-43f6-a61e-2b2ca67999e9
Enregistrement créé2009-09-10
Enregistrement modifié2020-04-29
Date de modification :