Growth of undulating Si0.5Ge0.5 layers for photodetectors at λ=1.55 µm

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1063/1.370883
AuteurRechercher : ; Rechercher : 1; Rechercher : 2; Rechercher : 2
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut des étalons nationaux de mesure du CNRC
  2. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
FormatTexte, Article
Date de publication
Dans
Langueanglais
Numéro du CNRCNRC-INMS-1082
Numéro NPARC8896605
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Identificateur de l’enregistrementb24c858d-0c10-4165-b14b-2b1da47167ea
Enregistrement créé2009-04-22
Enregistrement modifié2020-03-20
Date de modification :