Ultrahigh-resolution photoluminescence studies of excitons bound to boron in silicon under uniaxial stress
Ultrahigh-resolution photoluminescence studies of excitons bound to boron in silicon under uniaxial stress
DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1103/PhysRevB.45.11736 |
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Format | Texte, Article |
Date de publication | 1992-05-15 |
Dans | |
Langue | anglais |
Publications évaluées par des pairs | Oui |
Numéro du CNRC | NRC-INMS-26 |
Numéro NPARC | 8898072 |
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Identificateur de l’enregistrement | b00bbe36-a84f-4f89-a4f5-7bb2eb9b3360 |
Enregistrement créé | 2009-04-22 |
Enregistrement modifié | 2020-04-24 |
- Date de modification :