Ultrahigh-resolution photoluminescence studies of excitons bound to boron in silicon under uniaxial stress

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1103/PhysRevB.45.11736
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FormatTexte, Article
Date de publication
Dans
Langueanglais
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Numéro du CNRCNRC-INMS-26
Numéro NPARC8898072
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Identificateur de l’enregistrementb00bbe36-a84f-4f89-a4f5-7bb2eb9b3360
Enregistrement créé2009-04-22
Enregistrement modifié2020-04-24
Date de modification :