Chiral selective tunneling induced negative differential resistance in zigzag graphene nanoribbon: a theoretical study

Autre titre	Nature of negative differential resistance in zigzag graphene nanoribbon: chiral selective tunneling rule
DOI	Trouver le DOI : https://doi.org/10.1063/1.2904701
Auteur	Rechercher : Wang, Z. F.; Rechercher : Qunxiang, Li; Rechercher : Shi, Q. W.; Rechercher : Wang, Xiaoping; Rechercher : Yang, Jinlong; Rechercher : Hou, J. G.; Rechercher : Chen, Jie¹
Affiliation	Conseil national de recherches du Canada. Nanotechnologie
Format	Texte, Article
Résumé	The electronic and phase-coherent transport properties of a doped zigzag graphene nanoribbon are studied theoretically in this paper. The I-V curve of the device shows an interesting negative differential resistance (NDR) phenomenon. We found that the NDR is caused by the chiral tunneling of graphene, which is attributed to the symmetry of the eigenstates of individual subbands. This new physics finding is helpful for us to gain more insights about carrier transport in graphene nanoribbons and to design graphene-based nanoelectronic devices.
Date de publication	2008-04-02
Maison d’édition	AIP
Dans	Applied Physics Letter 92, nº 13, 133114.
Publications évaluées par des pairs	Oui
Numéro du CNRC	496 NRC-NINT-496
Numéro NPARC	8926225
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Identificateur de l’enregistrement	acf3deac-cff7-403f-864a-c4e3764dc6f1
Enregistrement créé	2009-04-23
Enregistrement modifié	2020-04-15