Modeling the effect of a buried layer in GaAs metal-semiconductor-metal photodetectors

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1063/1.359491
AuteurRechercher : 1; Rechercher : 1
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
FormatTexte, Article
SujetBURIED LAYERS; FINITE DIFFERENCE METHOD; GALLIUM ARSENIDES; MOS JUNCTIONS; PHOTODETECTORS; SIMULATION; SPACE CHARGE; TRANSIENTS
Résumé
Date de publication
Dans
Langueanglais
Publications évaluées par des pairsOui
Numéro NPARC12339008
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Identificateur de l’enregistrementa82e615f-608f-43d7-b4a3-5cfa8bf0516b
Enregistrement créé2009-09-11
Enregistrement modifié2020-04-29
Date de modification :