Contact resistance reduction in AlGaN/GaN heterostructure field effect transistors
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DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1002/pssc.200390032 |
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Affiliation |
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Format | Texte, Article |
Résumé | |
Date de publication | 2002-12-19 |
Maison d’édition | Wiley |
Dans | |
Langue | anglais |
Publications évaluées par des pairs | Oui |
Numéro NPARC | 12338332 |
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Identificateur de l’enregistrement | a6edb741-4102-4145-8c83-3665e3596470 |
Enregistrement créé | 2009-09-10 |
Enregistrement modifié | 2020-04-06 |
- Date de modification :