Gadolinium oxide and amorphous silicate films deposited on Si(100) by electron-beam evaporation: stability and diffusion

Par Conseil national de recherches du Canada

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Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
FormatTexte, Article
ConférenceMaterials Research Society Workshop Series: International Workshop on Devices Technology: Alternatives to SiO2 as Gate Dielectric for Future Si-Based Microelectronics, 3-5 September 2001
Langueanglais
Numéro NPARC12346177
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Identificateur de l’enregistrement9a955279-55ed-4dc8-9a67-2f024bd4d93d
Enregistrement créé2009-09-17
Enregistrement modifié2020-04-16
Date de modification :