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Synthesis of samarium oxide films by pulsed laser deposition

Par Conseil national de recherches du Canada

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  1. (PDF, 341 Kio)
DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1557/PROC-780-Y1.3
AuteurRechercher : 1; Rechercher : 1
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut des matériaux industriels du CNRC
FormatTexte, Article
Conférence2003 Materials Research Society Spring Meeting, April 21-25, San Francisco, CA
Résumé
Uniform Samarium oxide (Sm₂O₃) films were grown on 75-mm diameter silicon wafers by the pulsed laser deposition (PLD) technique. The beam of a KrF excimer laser was used to ablate an Sm₂O₃ target in an oxygen pressure of 30 mTorr. The crystal structure, surface morphology and optical properties of Sm₂O₃ films deposited at a temperature range of 25∼680°C were determined by XRD, FE-SEM, and spectra reflectance respectively. Monoclinic structure was the predominant phase for Sm₂O₃ films deposited at temperatures of 680°C and 400°C. Amorphous or partially crystallized amorphous phase was observed at deposition temperatures of 25°C and 200°C. The Sm₂O₃ film deposited at 680°C is very dense, while films deposited at lower temperatures have higher porosity. The values of index of refraction, n, and extinction coefficient, k, at λ = 633 nm are 1.867 and 0.0660, respectively, for the 680°C film, and are in a range of 1.5∼1.6 and 0.01∼0.04 respectively for films deposited at lower temperatures.
Date de publication
Maison d’éditionMaterials Research Society; Cambridge University Press
Springer
Série
  • MRS Online Proceedings 780, nº 13 (1 février 2004).
Langueanglais
Publications évaluées par des pairsOui
Numéro NPARC21272522
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Identificateur de l’enregistrement9a7a467a-1209-4369-8b2b-db1992b44b10
Enregistrement créé2014-12-01
Enregistrement modifié2024-02-21
Date de modification :