Dopant depth profiling by anodic sectioning using 0.1 M HCl electrolyte

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1149/1.1837225
AuteurRechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : ; Rechercher :
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
FormatTexte, Article
Sujetdoping profiles; electrochemistry; electrolytes; impurity distribution; oxidation; silicon
Résumé
Date de publication
Dans
Langueanglais
Numéro NPARC12338971
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Identificateur de l’enregistrement953349f6-f53a-4867-a42f-ca970950c273
Enregistrement créé2009-09-11
Enregistrement modifié2020-03-20
Date de modification :