Characterization of fast neutron irradiated GaAs films by photoluminescence spectroscopy

Par Conseil national de recherches du Canada

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FormatTexte, Article
ConférenceShallow impurities in semiconductors : proceedings of the Fourth International Conference on Shallow Impurities in Semiconductors, July 31-August 2, 1990, London, England
ISSN0255-5476
ISBN087849619X
Langueanglais
Numéro du CNRCNRC-INMS-1146
Numéro NPARC5765711
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Identificateur de l’enregistrement95315903-da34-4ff0-855b-35e76d7843c1
Enregistrement créé2009-03-29
Enregistrement modifié2020-04-16
Date de modification :