| DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1002/1521-396X(200111)188:1<271::AID-PSSA271>3.0.CO;2-T |
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| Auteur | Rechercher : Webb, J.1; Rechercher : Tang, Haipeng1; Rechercher : Bardwell, J. A.1; Rechercher : Rolfe, S.1; Rechercher : Liu, Ying1; Rechercher : Lapointe, J.1; Rechercher : Marshall, P.1; Rechercher : MacElwee, T. W. |
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| Affiliation | - Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
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| Format | Texte, Article |
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| Résumé | The growth of GaN/AlGaN high electron mobility transistor structures (HEMT) on 4H‐SiC by ammonia molecular beam epitaxy (a‐MBE) is reported. Structures were grown using a magnetron sputter epitaxy deposited AlN buffer layer prior to the MBE growth of a carbon‐doped insulating GaN isolation layer, undoped GaN channel layer and AlGaN cap layer. No ex‐situ or in‐situ high temperature pre‐treatment of the SiC substrate was used. The electrical characteristics of the layers was excellent with RT mobilities of >1100 cm²/Vs for a sheet carrier density of >1 × 10¹³ cm⁻². HEMTs fabricated from layers gave an fₜ and fₘₐₓ of 36 and 80 GHz, respectively with a maximum saturated drain current of 450 mA/mm and transconductance of 160 mS/mm for a gate length of 0.3 μm. |
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| Date de publication | 2001-11-22 |
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| Maison d’édition | Wiley |
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| Dans | |
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| Langue | anglais |
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| Publications évaluées par des pairs | Oui |
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| Numéro NPARC | 12337880 |
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| Exporter la notice | Exporter en format RIS |
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| Identificateur de l’enregistrement | 93b1e505-7d3b-4ef8-984a-50c8859e3424 |
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| Enregistrement créé | 2009-09-10 |
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| Enregistrement modifié | 2022-03-10 |
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