Pressure-induced changes on the electronic structure and electron topology in the direct FCC → SH transformation of silicon

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1021/jp408666q
AuteurRechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : 1; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher :
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada
FormatTexte, Article
Résumé
Date de publication
Dans
Langueanglais
Publications évaluées par des pairsOui
Numéro NPARC21270756
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Identificateur de l’enregistrement914fa536-b2bd-4b78-bd86-f82b48d787d2
Enregistrement créé2014-02-17
Enregistrement modifié2020-04-22
Date de modification :