Gap states of hydrogenated amorphous silicon near and above the threshold of microcrystallinity with subtle boron compensation
Gap states of hydrogenated amorphous silicon near and above the threshold of microcrystallinity with subtle boron compensation
DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1063/1.1368185 |
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Format | Texte, Article |
Date de publication | 2001 |
Dans | |
Langue | anglais |
Publications évaluées par des pairs | Oui |
Numéro NPARC | 12744514 |
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Identificateur de l’enregistrement | 9088d714-602b-48bf-a95c-5bc5e17c220a |
Enregistrement créé | 2009-10-27 |
Enregistrement modifié | 2023-05-10 |
- Date de modification :