DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1149/05041.0035ecst |
---|
Auteur | Rechercher : Lockwood, David J.1; Rechercher : Wu, Xiaohua2; Rechercher : Baribeau, Jean-Marc2; Rechercher : Modi, Nikhil; Rechercher : Tsybeskov, Leonid |
---|
Affiliation | - Conseil national de recherches du Canada. Science des mesures et étalons
- Conseil national de recherches du Canada. Technologies de l'information et des communications
|
---|
Format | Texte, Article |
---|
Conférence | PRiME 2012: Pits and Pores 5: A Symposium in Honor of David Lockwood, October 7-12, 2012, Honolulu, Hawaii |
---|
Sujet | Carrier recombination; CMOS Compatible; Light emitters; Light emitting devices; Si/SiGe; Silicon Germanium; Spectral range; Germanium; Light; Silicon alloys; Nanostructures |
---|
Résumé | Epitaxially-grown three-dimensional Si/SiGe nanostructures produce photoluminescence and electroluminescence in the desired spectral range of 1.3-1.6 μm. We show that by controlling and modifying such Ge-rich SiGe nanoclusters during growth it is possible to fabricate very fast and hence more efficient SiGe light-emitting devices. The physics of carrier recombination in these Si/SiGe nanostructures is discussed. The present results provide another possible route toward CMOS compatible light emitters. |
---|
Date de publication | 2013 |
---|
Dans | |
---|
Langue | anglais |
---|
Publications évaluées par des pairs | Oui |
---|
Numéro NPARC | 21270071 |
---|
Exporter la notice | Exporter en format RIS |
---|
Signaler une correction | Signaler une correction (s'ouvre dans un nouvel onglet) |
---|
Identificateur de l’enregistrement | 8c5096bb-75eb-4252-a75a-ebe00543dd02 |
---|
Enregistrement créé | 2013-12-19 |
---|
Enregistrement modifié | 2020-04-22 |
---|