X-Ray Photoelectron Spectroscopy of Gate-Quality Silicon Oxynitride Films Produced by Annealing Plasma-Nitrided Si(100)in Nitrous Oxide

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1149/1.1374219
AuteurRechercher : ; Rechercher : 1; Rechercher : ; Rechercher : 1; Rechercher :
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
FormatTexte, Article
Date de publication
Dans
Numéro NPARC12744733
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Identificateur de l’enregistrement88e164bc-e4a9-4fce-a773-8ecef5b069aa
Enregistrement créé2009-10-27
Enregistrement modifié2020-03-27
Date de modification :