One-flux analysis of current blocking in double-heterostructure bipolar transistors with composite collectors

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1063/1.361107
AuteurRechercher : 1
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
FormatTexte, Article
Sujetaccumulation layers; bipolar transistors; current density; graded band gaps; heterostructures; iv characteristic
Résumé
Date de publication
Maison d’éditionAIP
Dans
Langueanglais
Publications évaluées par des pairsOui
Numéro NPARC12329067
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Identificateur de l’enregistrement80a5d929-de59-42f6-8b77-00b9daa4d60f
Enregistrement créé2009-09-10
Enregistrement modifié2020-03-20
Date de modification :