Photoluminescence in UHV-CVD-grown Si[1-x]Ge[x] quantum wells on Si(100): band alignment variation with excitation density and applied uniaxial stress

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1016/S0040-6090(98)00466-0
AuteurRechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher :
FormatTexte, Article
Date de publication
Dans
Langueanglais
Numéro du CNRCNRC-INMS-1115
Numéro NPARC5764357
Exporter la noticeExporter en format RIS
Signaler une correctionSignaler une correction (s'ouvre dans un nouvel onglet)
Identificateur de l’enregistrement8058f970-ff3d-48ed-addd-383cd1099f61
Enregistrement créé2009-03-29
Enregistrement modifié2020-03-20
Date de modification :