Structural characterization of partially relaxed InAlSb epitaxial epilayers grown on InSb substrates
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Affiliation |
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Format | Texte, Article |
Conférence | 22nd International Conference on the Physics of Semiconductors, Vancouver, B.C., Canada, August 15-19, 1994 |
Date de publication | 1995 |
Dans | |
Langue | anglais |
Numéro NPARC | 12338847 |
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Identificateur de l’enregistrement | 7f98c8cc-f2bc-4115-9022-942805c8e1c2 |
Enregistrement créé | 2009-09-11 |
Enregistrement modifié | 2020-04-29 |
- Date de modification :